Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Быковский, В. А. - Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs:In, полученных хлоридным методом
Быковский, В. А. - Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs:In, полученных хлоридным методом
Статья
Автор: Быковский, В. А.
Физика и техника полупроводников: Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs:In, полученных хлоридным методом
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Быковский, В. А.
Физика и техника полупроводников: Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs:In, полученных хлоридным методом
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Быковский, В. А.
Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs:In, полученных хлоридным методом / В. А. Быковский, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 12 . – с. 2117-2120 .
Быковский, В. А.
Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs:In, полученных хлоридным методом / В. А. Быковский, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 12 . – с. 2117-2120 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 12
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 12
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный