Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Карпович, И. А. - Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных гетероструктур GaAs/InGaAs с квантовой ямой
Карпович, И. А. - Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных гетероструктур GaAs/InGaAs с квантовой ямой
Статья
Автор: Карпович, И. А.
Физика и техника полупроводников: Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных гетероструктур GaAs/InGaAs с квантовой ямой
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Карпович, И. А.
Физика и техника полупроводников: Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных гетероструктур GaAs/InGaAs с квантовой ямой
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Карпович, И. А.
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных гетероструктур GaAs/InGaAs с квантовой ямой / И. А. Карпович, В. Я. Алешкин, А. В. Аншон, Т. С. Бабушкина, Б. Н. Звонков, И. Г. Малкина // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 12 . – с. 2172-2176 .
Карпович, И. А.
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных гетероструктур GaAs/InGaAs с квантовой ямой / И. А. Карпович, В. Я. Алешкин, А. В. Аншон, Т. С. Бабушкина, Б. Н. Звонков, И. Г. Малкина // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 12 . – с. 2172-2176 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 12
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 12
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный