Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бирюлин, Ю. Ф. - Двойное легирование эпитаксиального GaAs изовалентной примесью - висмутом и акцепторной примесью ...
Бирюлин, Ю. Ф. - Двойное легирование эпитаксиального GaAs изовалентной примесью - висмутом и акцепторной примесью ...
Статья
Автор: Бирюлин, Ю. Ф.
Физика и техника полупроводников: Двойное легирование эпитаксиального GaAs изовалентной примесью - висмутом и акцепторной примесью ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бирюлин, Ю. Ф.
Физика и техника полупроводников: Двойное легирование эпитаксиального GaAs изовалентной примесью - висмутом и акцепторной примесью ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Бирюлин, Ю. Ф.
Двойное легирование эпитаксиального GaAs изовалентной примесью - висмутом и акцепторной примесью - цинком / Краткие сообщения / Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, С. В. Новиков, Д. Н. Шелковников // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 12 . – с. 2217-2218 .
Бирюлин, Ю. Ф.
Двойное легирование эпитаксиального GaAs изовалентной примесью - висмутом и акцепторной примесью - цинком / Краткие сообщения / Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, С. В. Новиков, Д. Н. Шелковников // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 12 . – с. 2217-2218 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 12
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 12
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный