Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Журавлев, К. С. - Влияние изовалентного легирования In и Sb на фотолюминесценцию комплексов в эпитаксиальном сильно...
Журавлев, К. С. - Влияние изовалентного легирования In и Sb на фотолюминесценцию комплексов в эпитаксиальном сильно...
Статья
Автор: Журавлев, К. С.
Физика и техника полупроводников: Влияние изовалентного легирования In и Sb на фотолюминесценцию комплексов в эпитаксиальном сильно...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Журавлев, К. С.
Физика и техника полупроводников: Влияние изовалентного легирования In и Sb на фотолюминесценцию комплексов в эпитаксиальном сильно...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Журавлев, К. С.
Влияние изовалентного легирования In и Sb на фотолюминесценцию комплексов в эпитаксиальном сильно легированном р-GaAs : Ge / К. С. Журавлев, А. В. Катков // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 1 . – с. 88-92 .
Журавлев, К. С.
Влияние изовалентного легирования In и Sb на фотолюминесценцию комплексов в эпитаксиальном сильно легированном р-GaAs : Ge / К. С. Журавлев, А. В. Катков // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 1 . – с. 88-92 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 1
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 1
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный