Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Левинштейн, М. Е. - Релаксация фотопроводимости и шум 1/f в GaAs, подвергнутом деструктивному сжатию
Левинштейн, М. Е. - Релаксация фотопроводимости и шум 1/f в GaAs, подвергнутом деструктивному сжатию
Статья
Автор: Левинштейн, М. Е.
Физика и техника полупроводников: Релаксация фотопроводимости и шум 1/f в GaAs, подвергнутом деструктивному сжатию
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Левинштейн, М. Е.
Физика и техника полупроводников: Релаксация фотопроводимости и шум 1/f в GaAs, подвергнутом деструктивному сжатию
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Левинштейн, М. Е.
Релаксация фотопроводимости и шум 1/f в GaAs, подвергнутом деструктивному сжатию / М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 1 . – с. 164-167 .
Левинштейн, М. Е.
Релаксация фотопроводимости и шум 1/f в GaAs, подвергнутом деструктивному сжатию / М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 1 . – с. 164-167 .