Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Александров, Л. Н. - Численное моделирование диффузии бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
Александров, Л. Н. - Численное моделирование диффузии бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
Статья
Автор: Александров, Л. Н.
Физика и техника полупроводников: Численное моделирование диффузии бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Александров, Л. Н.
Физика и техника полупроводников: Численное моделирование диффузии бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Александров, Л. Н.
Численное моделирование диффузии бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации / Л. Н. Александров, Т. В. Бондарева, Г. А. Качурин, И. Е. Тысченко // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 2 . – с. 227-230 .
Александров, Л. Н.
Численное моделирование диффузии бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации / Л. Н. Александров, Т. В. Бондарева, Г. А. Качурин, И. Е. Тысченко // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 2 . – с. 227-230 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 2
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 2
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный