Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Козловский, В. В. - Дефектообразование в n-InP при повышенных температурах облучения
Козловский, В. В. - Дефектообразование в n-InP при повышенных температурах облучения
Статья
Автор: Козловский, В. В.
Физика и техника полупроводников: Дефектообразование в n-InP при повышенных температурах облучения
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Козловский, В. В.
Физика и техника полупроводников: Дефектообразование в n-InP при повышенных температурах облучения
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Козловский, В. В.
Дефектообразование в n-InP при повышенных температурах облучения / В. В. Козловский, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, С. Е. Мороз // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 2 . – с. 267-270 .
Козловский, В. В.
Дефектообразование в n-InP при повышенных температурах облучения / В. В. Козловский, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, С. Е. Мороз // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 2 . – с. 267-270 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 2
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 2
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный