Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Брунков, П. Н. - Дефекты с глубокими уровнями в GaAs, выращенном из раствора-расплава Ga-Bi / Краткие сообщения
Брунков, П. Н. - Дефекты с глубокими уровнями в GaAs, выращенном из раствора-расплава Ga-Bi / Краткие сообщения
Статья
Автор: Брунков, П. Н.
Физика и техника полупроводников: Дефекты с глубокими уровнями в GaAs, выращенном из раствора-расплава Ga-Bi / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Брунков, П. Н.
Физика и техника полупроводников: Дефекты с глубокими уровнями в GaAs, выращенном из раствора-расплава Ga-Bi / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Брунков, П. Н.
Дефекты с глубокими уровнями в GaAs, выращенном из раствора-расплава Ga-Bi / Краткие сообщения / П. Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С. Г. Конников, В. Г. Никитин, М. И. Папенцев, М. М. Соболев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 2 . – с. 338-341 .
Брунков, П. Н.
Дефекты с глубокими уровнями в GaAs, выращенном из раствора-расплава Ga-Bi / Краткие сообщения / П. Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С. Г. Конников, В. Г. Никитин, М. И. Папенцев, М. М. Соболев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 2 . – с. 338-341 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 2
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 2
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный