Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Жуковский, П. В. - Аномальная зависимость коэффициента отражения Si от дозы имплантации ионов Ar+ при T < 330 К / Кр...
Жуковский, П. В. - Аномальная зависимость коэффициента отражения Si от дозы имплантации ионов Ar+ при T < 330 К / Кр...
Статья
Автор: Жуковский, П. В.
Физика и техника полупроводников: Аномальная зависимость коэффициента отражения Si от дозы имплантации ионов Ar+ при T < 330 К / Кр...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Жуковский, П. В.
Физика и техника полупроводников: Аномальная зависимость коэффициента отражения Si от дозы имплантации ионов Ar+ при T < 330 К / Кр...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Жуковский, П. В.
Аномальная зависимость коэффициента отражения Si от дозы имплантации ионов Ar+ при T < 330 К / Краткие сообщения / П. В. Жуковский, С. Б. Канторов, К. Кищак, Д. Мончка, В. Ф. Стельмах // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 3 . – с. 556-557 .
Жуковский, П. В.
Аномальная зависимость коэффициента отражения Si от дозы имплантации ионов Ar+ при T < 330 К / Краткие сообщения / П. В. Жуковский, С. Б. Канторов, К. Кищак, Д. Мончка, В. Ф. Стельмах // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 3 . – с. 556-557 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 3
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 3
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный