Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Емцев, В. В. - Зависимость скорости образования вторичных дефектов в p-Si от интенсивности электронного облучени...
Емцев, В. В. - Зависимость скорости образования вторичных дефектов в p-Si от интенсивности электронного облучени...
Статья
Автор: Емцев, В. В.
Физика и техника полупроводников: Зависимость скорости образования вторичных дефектов в p-Si от интенсивности электронного облучени...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Емцев, В. В.
Физика и техника полупроводников: Зависимость скорости образования вторичных дефектов в p-Si от интенсивности электронного облучени...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
Зависимость скорости образования вторичных дефектов в p-Si от интенсивности электронного облучения / Краткие сообщения / В. В. Емцев, П. М. Клингер, К. М. Миразизян // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 3 . – с. 561-563 .
Емцев, В. В.
Зависимость скорости образования вторичных дефектов в p-Si от интенсивности электронного облучения / Краткие сообщения / В. В. Емцев, П. М. Клингер, К. М. Миразизян // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 3 . – с. 561-563 .