Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Качурин, Г. А. - Свойства n-слоев, полученных высокотемпературным внедрением ионов Р+ в кремний
Качурин, Г. А. - Свойства n-слоев, полученных высокотемпературным внедрением ионов Р+ в кремний
Статья
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Свойства n-слоев, полученных высокотемпературным внедрением ионов Р+ в кремний
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Свойства n-слоев, полученных высокотемпературным внедрением ионов Р+ в кремний
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Качурин, Г. А.
Свойства n-слоев, полученных высокотемпературным внедрением ионов Р+ в кремний / Г. А. Качурин, И. Е. Тысченко, А. П. Мажирин, Л. И. Федина // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 4 . – с. 596-600 .
Качурин, Г. А.
Свойства n-слоев, полученных высокотемпературным внедрением ионов Р+ в кремний / Г. А. Качурин, И. Е. Тысченко, А. П. Мажирин, Л. И. Федина // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 4 . – с. 596-600 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 4
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 4
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный