Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сысоев, Б. И. - Свойства границы раздела InAs - тонкий полуизолирующий слой In2S3
Сысоев, Б. И. - Свойства границы раздела InAs - тонкий полуизолирующий слой In2S3
Статья
Автор: Сысоев, Б. И.
Физика и техника полупроводников: Свойства границы раздела InAs - тонкий полуизолирующий слой In2S3
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сысоев, Б. И.
Физика и техника полупроводников: Свойства границы раздела InAs - тонкий полуизолирующий слой In2S3
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Сысоев, Б. И.
Свойства границы раздела InAs - тонкий полуизолирующий слой In2S3 / Б. И. Сысоев, Б. Л. Агапов, Н. Н. Безрядин, А. В. Буданов, Т. В. Прокопова, С. В. Фетисова // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 4 . – с. 699-703 .
Сысоев, Б. И.
Свойства границы раздела InAs - тонкий полуизолирующий слой In2S3 / Б. И. Сысоев, Б. Л. Агапов, Н. Н. Безрядин, А. В. Буданов, Т. В. Прокопова, С. В. Фетисова // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 4 . – с. 699-703 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 4
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 4
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный