Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Астрова, Е. В. - Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выраще...
Астрова, Е. В. - Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выраще...
Статья
Автор: Астрова, Е. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выраще...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Астрова, Е. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выраще...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Астрова, Е. В.
Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенного из газовой фазы / Е. В. Астрова, И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, О. М. Ивлева, Л. Г. Лаврентьева, А. А. Лебедев, И. В. Тетеркина, В. В. Чалдышев, Н. А. Чернов, Ю. В. Шмарцев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 5 . – с. 898-903 .
Астрова, Е. В.
Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенного из газовой фазы / Е. В. Астрова, И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, О. М. Ивлева, Л. Г. Лаврентьева, А. А. Лебедев, И. В. Тетеркина, В. В. Чалдышев, Н. А. Чернов, Ю. В. Шмарцев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 5 . – с. 898-903 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 5
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 5
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный