Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Винокуров, Д. А.
Свойства и особенности кристаллизации эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на подложках Si (100) методом двухстадийного осаждения в МОС гидридном процессе / Д. А. Винокуров, В. М. Лантратов, М. А. Синицын, В. П. Улин, Н. Н. Фалеев, О. М. Федорова, Я. Л. Шайович, Б. С. Явич // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 6 . – с. 1022-1029 .