Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Акимов, А. В. - Рекомбинация горячих электронов с дырками на центрах прилипания в эпитаксиальном n-GaAs
Акимов, А. В. - Рекомбинация горячих электронов с дырками на центрах прилипания в эпитаксиальном n-GaAs
Статья
Автор: Акимов, А. В.
Физика и техника полупроводников: Рекомбинация горячих электронов с дырками на центрах прилипания в эпитаксиальном n-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Акимов, А. В.
Физика и техника полупроводников: Рекомбинация горячих электронов с дырками на центрах прилипания в эпитаксиальном n-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Акимов, А. В.
Рекомбинация горячих электронов с дырками на центрах прилипания в эпитаксиальном n-GaAs / А. В. Акимов, В. Г. Шофман // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 7 . – с. 1133-1135 .
Акимов, А. В.
Рекомбинация горячих электронов с дырками на центрах прилипания в эпитаксиальном n-GaAs / А. В. Акимов, В. Г. Шофман // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 7 . – с. 1133-1135 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 7
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 7
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный