Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Бублик, В. Т. - Изучение методом рентгеновской дифрактометрии влияния дислокаций на характер дефектной структуры ...

Бублик, В. Т. - Изучение методом рентгеновской дифрактометрии влияния дислокаций на характер дефектной структуры ...

Статья
Автор: Бублик, В. Т.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Изучение методом рентгеновской дифрактометрии влияния дислокаций на характер дефектной структуры ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку На полку


Статья

Бублик, В. Т.
Изучение методом рентгеновской дифрактометрии влияния дислокаций на характер дефектной структуры в кристаллах GaAs, имплантированных ионами Si / Атомная структура и методы структурных исследований / В. Т. Бублик, К. Д. Щербачев, Ю. Ф. Труш, С. Б. Евгеньев // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2001 . – N 3 . – с. 65-69 .






Привязано к:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Нет экз.
Выпуск

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники N 3
2001 г.
ISBN отсутствует

полный текст


На полку На полку


© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167