Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Деноткин, В. Л. - Исследование субмикронных эпитаксиальных слоев, глубоко лежащих в структуре на основе GaAs-AlxGa1...
Деноткин, В. Л. - Исследование субмикронных эпитаксиальных слоев, глубоко лежащих в структуре на основе GaAs-AlxGa1...
Статья
Автор: Деноткин, В. Л.
Физика и техника полупроводников: Исследование субмикронных эпитаксиальных слоев, глубоко лежащих в структуре на основе GaAs-AlxGa1...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Деноткин, В. Л.
Физика и техника полупроводников: Исследование субмикронных эпитаксиальных слоев, глубоко лежащих в структуре на основе GaAs-AlxGa1...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Деноткин, В. Л.
Исследование субмикронных эпитаксиальных слоев, глубоко лежащих в структуре на основе GaAs-AlxGa1-xAs / В. Л. Деноткин, С. А. Козиков, В. Г. Кригель, С. В. Козлова // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 8 . – с. 1397-1405 .
Деноткин, В. Л.
Исследование субмикронных эпитаксиальных слоев, глубоко лежащих в структуре на основе GaAs-AlxGa1-xAs / В. Л. Деноткин, С. А. Козиков, В. Г. Кригель, С. В. Козлова // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 8 . – с. 1397-1405 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 8
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 8
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный