Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Денисов, В. Н. - Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и...
Денисов, В. Н. - Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и...
Статья
Автор: Денисов, В. Н.
Физика и техника полупроводников: Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Денисов, В. Н.
Физика и техника полупроводников: Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Денисов, В. Н.
Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и In: влияние дефектов и затухание плазмофонона / Краткие сообщения / В. Н. Денисов, Б. Н. Маврин, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 8 . – с. 1472-1475 .
Денисов, В. Н.
Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и In: влияние дефектов и затухание плазмофонона / Краткие сообщения / В. Н. Денисов, Б. Н. Маврин, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 8 . – с. 1472-1475 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 8
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 8
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный