Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Колковский, И. И. - Использование низкотемпературной обработки для диагностики структурного совершенства p-Si фотоэле...
Колковский, И. И. - Использование низкотемпературной обработки для диагностики структурного совершенства p-Si фотоэле...
Статья
Автор: Колковский, И. И.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Использование низкотемпературной обработки для диагностики структурного совершенства p-Si фотоэле...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Колковский, И. И.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Использование низкотемпературной обработки для диагностики структурного совершенства p-Si фотоэле...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Колковский, И. И.
Использование низкотемпературной обработки для диагностики структурного совершенства p-Si фотоэлектрическими методами / Материаловедение и технология. Полупроводники / И. И. Колковский, Ф. Ф. Комаров, В. В. Лукьяница // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2002 . – N 3 . – с. 18-20 .
Колковский, И. И.
Использование низкотемпературной обработки для диагностики структурного совершенства p-Si фотоэлектрическими методами / Материаловедение и технология. Полупроводники / И. И. Колковский, Ф. Ф. Комаров, В. В. Лукьяница // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2002 . – N 3 . – с. 18-20 .
Привязано к:
Нет экз.