Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Щербачев, К. Д. - О влиянии фотовозбуждения in situ на структуру нарушенного слоя в подложках Si(111), имплантирова...
Щербачев, К. Д. - О влиянии фотовозбуждения in situ на структуру нарушенного слоя в подложках Si(111), имплантирова...
Статья
Автор: Щербачев, К. Д.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: О влиянии фотовозбуждения in situ на структуру нарушенного слоя в подложках Si(111), имплантирова...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Щербачев, К. Д.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: О влиянии фотовозбуждения in situ на структуру нарушенного слоя в подложках Si(111), имплантирова...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Щербачев, К. Д.
О влиянии фотовозбуждения in situ на структуру нарушенного слоя в подложках Si(111), имплантированных ионами аргона / Атомная структура и методы структурных исследований / К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, А. В. Курипятник, В. Н. Мордкович, Д. М. Пажин // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2003 . – N 1 . – с. 66-71 .
Щербачев, К. Д.
О влиянии фотовозбуждения in situ на структуру нарушенного слоя в подложках Si(111), имплантированных ионами аргона / Атомная структура и методы структурных исследований / К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, А. В. Курипятник, В. Н. Мордкович, Д. М. Пажин // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2003 . – N 1 . – с. 66-71 .
Привязано к:
Нет экз.