Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Василевский, К. В. - Экспериментальное исследование p-i-n-диодов на основе SiC в 3-сантиметровом диапазоне / Физика по...
Василевский, К. В. - Экспериментальное исследование p-i-n-диодов на основе SiC в 3-сантиметровом диапазоне / Физика по...
Статья
Автор: Василевский, К. В.
Физика и техника полупроводников: Экспериментальное исследование p-i-n-диодов на основе SiC в 3-сантиметровом диапазоне / Физика по...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Василевский, К. В.
Физика и техника полупроводников: Экспериментальное исследование p-i-n-диодов на основе SiC в 3-сантиметровом диапазоне / Физика по...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Василевский, К. В.
Экспериментальное исследование p-i-n-диодов на основе SiC в 3-сантиметровом диапазоне / Физика полупроводниковых приборов / К. В. Василевский, П. Б. Гамулецкая, А. В. Кириллов, А. А. Лебедев, Л. П. Романов, В. А. Смирнов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2004 . – Т. 38, N 2 . – с. 242-243 .
Василевский, К. В.
Экспериментальное исследование p-i-n-диодов на основе SiC в 3-сантиметровом диапазоне / Физика полупроводниковых приборов / К. В. Василевский, П. Б. Гамулецкая, А. В. Кириллов, А. А. Лебедев, Л. П. Романов, В. А. Смирнов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2004 . – Т. 38, N 2 . – с. 242-243 .