Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Косарев, А. М. - Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, Al Ga и In Ga As на основе математическо...
Косарев, А. М. - Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, Al Ga и In Ga As на основе математическо...
Доступно
1 из 1
1 из 1
Автореферат
Автор: Косарев, А. М.
Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, Al Ga и In Ga As на основе математическо... : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники"
Издательство: [МИСиС], 2004 г.
ISBN отсутствует
Автор: Косарев, А. М.
Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, Al Ga и In Ga As на основе математическо... : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники"
Издательство: [МИСиС], 2004 г.
ISBN отсутствует
Заказать 
На полку
Автореферат
VIII-5 К-71
Косарев, А. М.
Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, Al Ga и In Ga As на основе математической модели : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" / А. М. Косарев ; науч. рук. В. В. Крапухин . – М. : [МИСиС], 2004 . – 34 с. : ил. + Библиогр.: с. 33-34.
621.315.592:548.25(043.3)
175340м 19:Фонд дис.МИСИС
VIII-5 К-71
Косарев, А. М.
Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, Al Ga и In Ga As на основе математической модели : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" / А. М. Косарев ; науч. рук. В. В. Крапухин . – М. : [МИСиС], 2004 . – 34 с. : ил. + Библиогр.: с. 33-34.
621.315.592:548.25(043.3)
175340м 19:Фонд дис.МИСИС