Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Гуткин, А. А. - Пьезоспектроскопическое исследование полосы излучения с максимумом около 1.2 эВ в n-GaAs:S / Элек...
Гуткин, А. А. - Пьезоспектроскопическое исследование полосы излучения с максимумом около 1.2 эВ в n-GaAs:S / Элек...
Статья
Автор: Гуткин, А. А.
Физика и техника полупроводников: Пьезоспектроскопическое исследование полосы излучения с максимумом около 1.2 эВ в n-GaAs:S / Элек...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Гуткин, А. А.
Физика и техника полупроводников: Пьезоспектроскопическое исследование полосы излучения с максимумом около 1.2 эВ в n-GaAs:S / Элек...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гуткин, А. А.
Пьезоспектроскопическое исследование полосы излучения с максимумом около 1.2 эВ в n-GaAs:S / Электронные и оптические свойства полупроводников / А. А. Гуткин, М. А. Рещиков // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2004 . – Т. 38, N 7 . – с. 825-829 .
Гуткин, А. А.
Пьезоспектроскопическое исследование полосы излучения с максимумом около 1.2 эВ в n-GaAs:S / Электронные и оптические свойства полупроводников / А. А. Гуткин, М. А. Рещиков // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2004 . – Т. 38, N 7 . – с. 825-829 .