Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Строкан, Н. Б.
Радиационная стойкость SiC-детекторов транзисторного и диодного типов при облучении протонами 8 МэВ / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Н. Б. Строкан, А. М. Иванов, Н. С. Савкина, А. А. Лебедев, В. В. Козловский, M. Syvajarvi, R. Yakimova // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2004 . – Т. 38, N 7 . – с. 841-845 .