Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Малеев, Н. А. - Исследование планарно-легированных структура на основе арсенида галлия на сверхвысокочастотных ди...
Малеев, Н. А. - Исследование планарно-легированных структура на основе арсенида галлия на сверхвысокочастотных ди...
Статья
Автор: Малеев, Н. А.
Физика и техника полупроводников: Исследование планарно-легированных структура на основе арсенида галлия на сверхвысокочастотных ди...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Малеев, Н. А.
Физика и техника полупроводников: Исследование планарно-легированных структура на основе арсенида галлия на сверхвысокочастотных ди...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Малеев, Н. А.
Исследование планарно-легированных структура на основе арсенида галлия на сверхвысокочастотных диодов с объемным потенциальным барьером / Физика полупроводниковых приборов / Н. А. Малеев, В. В. Волков, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, А. Р. Ковш, М. Ф. Кокорев, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 3 . – 346-350 .
Малеев, Н. А.
Исследование планарно-легированных структура на основе арсенида галлия на сверхвысокочастотных диодов с объемным потенциальным барьером / Физика полупроводниковых приборов / Н. А. Малеев, В. В. Волков, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, А. Р. Ковш, М. Ф. Кокорев, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 3 . – 346-350 .