Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лейер, А. Ф. - Моделирование формирования нанопреципитатов в SiO2, содержащем избыточный кремний / Атомная струк...
Лейер, А. Ф. - Моделирование формирования нанопреципитатов в SiO2, содержащем избыточный кремний / Атомная струк...
Статья
Автор: Лейер, А. Ф.
Физика и техника полупроводников: Моделирование формирования нанопреципитатов в SiO2, содержащем избыточный кремний / Атомная струк...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Лейер, А. Ф.
Физика и техника полупроводников: Моделирование формирования нанопреципитатов в SiO2, содержащем избыточный кремний / Атомная струк...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Лейер, А. Ф.
Моделирование формирования нанопреципитатов в SiO2, содержащем избыточный кремний / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / А. Ф. Лейер, Л. Н. Сафронов, Г. А. Качурин // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 4 . – 389-394 .
Лейер, А. Ф.
Моделирование формирования нанопреципитатов в SiO2, содержащем избыточный кремний / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / А. Ф. Лейер, Л. Н. Сафронов, Г. А. Качурин // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 4 . – 389-394 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 4
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 4
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный