Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Булярский, С. В. - Определение параметров глубоких уровней по релаксационной задержке пробоя p-n-перехода / Физика п...
Булярский, С. В. - Определение параметров глубоких уровней по релаксационной задержке пробоя p-n-перехода / Физика п...
Статья
Автор: Булярский, С. В.
Физика и техника полупроводников: Определение параметров глубоких уровней по релаксационной задержке пробоя p-n-перехода / Физика п...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Булярский, С. В.
Физика и техника полупроводников: Определение параметров глубоких уровней по релаксационной задержке пробоя p-n-перехода / Физика п...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Булярский, С. В.
Определение параметров глубоких уровней по релаксационной задержке пробоя p-n-перехода / Физика полупроводниковых приборов / С. В. Булярский, Ю. Н. Сережкин, В. К. Ионычев // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 4 . – 494-498 .
Булярский, С. В.
Определение параметров глубоких уровней по релаксационной задержке пробоя p-n-перехода / Физика полупроводниковых приборов / С. В. Булярский, Ю. Н. Сережкин, В. К. Ионычев // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 4 . – 494-498 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 4
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 4
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный