Электронный каталог -Хрыкин, О. И. - Особенности эпитаксиального наращивания GaN при пониженном давлении в реакторе МОГФЭ / Полупровод...- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Хрыкин, О. И. - Особенности эпитаксиального наращивания GaN при пониженном давлении в реакторе МОГФЭ / Полупровод...

Хрыкин, О. И. - Особенности эпитаксиального наращивания GaN при пониженном давлении в реакторе МОГФЭ / Полупровод...

Статья
Автор: Хрыкин, О. И.
Физика и техника полупроводников: Особенности эпитаксиального наращивания GaN при пониженном давлении в реакторе МОГФЭ / Полупровод...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья

Хрыкин, О. И.
Особенности эпитаксиального наращивания GaN при пониженном давлении в реакторе МОГФЭ / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / О. И. Хрыкин, А. В. Бутин, Д. М. Гапонова, В. М. Данильцев, М. Н. Дроздов, А. В. Мурель, В. И. Шашкин, Ю. Н. Дроздов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 1 . – с. 21-24 .