Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Байдусь, Н. В.
Влияние промежуточного окисного слоя в гетероструктурах металл-квантово-размерный полупроводник In(Ga)As/GaAs на эффективность электролюминесценции / Низкоразмерные системы / Н. В. Байдусь, П. Б. Демина, М. В. Дорохин, Б. Н. Звонков, Е. И. Малышева, Е. А. Ускова // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 1 . – с. 25-29 .