Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Востоков, Н. В. - Релаксированные буферные слои Si1-xGe/Si(001), выращенные методом газофазной эпитаксии при атмосф...
Востоков, Н. В. - Релаксированные буферные слои Si1-xGe/Si(001), выращенные методом газофазной эпитаксии при атмосф...
Статья
Автор: Востоков, Н. В.
Физика твердого тела: Релаксированные буферные слои Si1-xGe/Si(001), выращенные методом газофазной эпитаксии при атмосф...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Востоков, Н. В.
Физика твердого тела: Релаксированные буферные слои Si1-xGe/Si(001), выращенные методом газофазной эпитаксии при атмосф...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Востоков, Н. В.
Релаксированные буферные слои Si1-xGe/Si(001), выращенные методом газофазной эпитаксии при атмосферном давлении / Материалы Совещания / Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, О. А. Кузнецов, А. В. Новиков, В. А. Перевощиков, М. В. Шалеев // Физика твердого тела . – Основан в январе 1959 г . – 2005 . – Т. 47, N 1 . – с. 44-46 .
Востоков, Н. В.
Релаксированные буферные слои Si1-xGe/Si(001), выращенные методом газофазной эпитаксии при атмосферном давлении / Материалы Совещания / Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, О. А. Кузнецов, А. В. Новиков, В. А. Перевощиков, М. В. Шалеев // Физика твердого тела . – Основан в январе 1959 г . – 2005 . – Т. 47, N 1 . – с. 44-46 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1