Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бублик, В. Т. - Об условиях образования микродефектов в монокристаллах GaAs(Si), выращенных методом горизонтально...
Бублик, В. Т. - Об условиях образования микродефектов в монокристаллах GaAs(Si), выращенных методом горизонтально...
Статья
Автор: Бублик, В. Т.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Об условиях образования микродефектов в монокристаллах GaAs(Si), выращенных методом горизонтально...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бублик, В. Т.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Об условиях образования микродефектов в монокристаллах GaAs(Si), выращенных методом горизонтально...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Бублик, В. Т.
Об условиях образования микродефектов в монокристаллах GaAs(Si), выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации / Технически важные и перспективные кристаллы. Полупроводники / В. Т. Бублик, К. Д. Щербачев, М. И. Воронова, С. Ю. Мацнев // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2004 . – N 1 . – с. 54-57 .
Бублик, В. Т.
Об условиях образования микродефектов в монокристаллах GaAs(Si), выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации / Технически важные и перспективные кристаллы. Полупроводники / В. Т. Бублик, К. Д. Щербачев, М. И. Воронова, С. Ю. Мацнев // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2004 . – N 1 . – с. 54-57 .
Привязано к:
Нет экз.