Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Войцеховский, А. В. - Профили распределения дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg(1-x)Te, выращенных методом молекуля...
Войцеховский, А. В. - Профили распределения дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg(1-x)Te, выращенных методом молекуля...
Статья
Автор: Войцеховский, А. В.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Профили распределения дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg(1-x)Te, выращенных методом молекуля...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Войцеховский, А. В.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Профили распределения дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg(1-x)Te, выращенных методом молекуля...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Войцеховский, А. В.
Профили распределения дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg(1-x)Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, при ионной имплантации аргона и азота / Физические свойства и методы исследования / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, Д. В. Леонтьев, Н. А. Кульчицкий // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2004 . – N 2 . – с. 60-65 .
Войцеховский, А. В.
Профили распределения дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg(1-x)Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, при ионной имплантации аргона и азота / Физические свойства и методы исследования / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, Д. В. Леонтьев, Н. А. Кульчицкий // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2004 . – N 2 . – с. 60-65 .
Привязано к:
Нет экз.