Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Авакянц, Л. П. - Исследование активации примеси в InP, имплантированном ионами бериллия, методом фотоотражения / Э...
Авакянц, Л. П. - Исследование активации примеси в InP, имплантированном ионами бериллия, методом фотоотражения / Э...
Статья
Автор: Авакянц, Л. П.
Физика и техника полупроводников: Исследование активации примеси в InP, имплантированном ионами бериллия, методом фотоотражения / Э...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Авакянц, Л. П.
Физика и техника полупроводников: Исследование активации примеси в InP, имплантированном ионами бериллия, методом фотоотражения / Э...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Авакянц, Л. П.
Исследование активации примеси в InP, имплантированном ионами бериллия, методом фотоотражения / Электронные и оптические свойства полупроводников / Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, А. В. Червяков // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 2 . – с. 189-191 .
Авакянц, Л. П.
Исследование активации примеси в InP, имплантированном ионами бериллия, методом фотоотражения / Электронные и оптические свойства полупроводников / Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, А. В. Червяков // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 2 . – с. 189-191 .