Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Мордвинцев, В. М. - Качественное различие механизмов процесса электроформовки в структурах Si-SiO2-W для Si n- и p-ти...
Мордвинцев, В. М. - Качественное различие механизмов процесса электроформовки в структурах Si-SiO2-W для Si n- и p-ти...
Статья
Автор: Мордвинцев, В. М.
Физика и техника полупроводников: Качественное различие механизмов процесса электроформовки в структурах Si-SiO2-W для Si n- и p-ти...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Мордвинцев, В. М.
Физика и техника полупроводников: Качественное различие механизмов процесса электроформовки в структурах Si-SiO2-W для Si n- и p-ти...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Мордвинцев, В. М.
Качественное различие механизмов процесса электроформовки в структурах Si-SiO2-W для Si n- и p-типов проводимости / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / В. М. Мордвинцев, С. Е. Кудрявцев, В. Л. Левин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 2 . – с. 222-229 .
Мордвинцев, В. М.
Качественное различие механизмов процесса электроформовки в структурах Si-SiO2-W для Si n- и p-типов проводимости / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / В. М. Мордвинцев, С. Е. Кудрявцев, В. Л. Левин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 2 . – с. 222-229 .