Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ардышев, М. В. - Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами ...
Ардышев, М. В. - Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами ...
Статья
Автор: Ардышев, М. В.
Физика и техника полупроводников: Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ардышев, М. В.
Физика и техника полупроводников: Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Ардышев, М. В.
Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами / Электронные и оптические свойства полупроводников / М. В. Ардышев, Ю. Ю. Крючков, В. М. Ардышев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 3 . – с. 313-315 .
Ардышев, М. В.
Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами / Электронные и оптические свойства полупроводников / М. В. Ардышев, Ю. Ю. Крючков, В. М. Ардышев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 3 . – с. 313-315 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 39, N 3
Наука, 2005 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 39, N 3
Наука, 2005 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный