Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Sennikov, P. G. - Spectroscopic parameters of LVM absorption bands of carbon and oxygen impurities in isotopic enri...
Sennikov, P. G. - Spectroscopic parameters of LVM absorption bands of carbon and oxygen impurities in isotopic enri...
Статья
Автор: Sennikov, P. G.
Физика и техника полупроводников: Spectroscopic parameters of LVM absorption bands of carbon and oxygen impurities in isotopic enri...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Sennikov, P. G.
Физика и техника полупроводников: Spectroscopic parameters of LVM absorption bands of carbon and oxygen impurities in isotopic enri...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Sennikov, P. G.
Spectroscopic parameters of LVM absorption bands of carbon and oxygen impurities in isotopic enriched silicon 28Si, 29Si and 30Si / Электронные и оптические свойства полупроводников / P. G. Sennikov, T. V. Kotereva, A. G. Kurganov, B. A. Andreev, H. Niemann, D. Schiel, V. V. Emtsev, H.-J. Pohl // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 3 . – с. 320-326 .
Sennikov, P. G.
Spectroscopic parameters of LVM absorption bands of carbon and oxygen impurities in isotopic enriched silicon 28Si, 29Si and 30Si / Электронные и оптические свойства полупроводников / P. G. Sennikov, T. V. Kotereva, A. G. Kurganov, B. A. Andreev, H. Niemann, D. Schiel, V. V. Emtsev, H.-J. Pohl // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 3 . – с. 320-326 .