Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ардышев, М. В. - Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs ри радиацио...
Ардышев, М. В. - Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs ри радиацио...
Статья
Автор: Ардышев, М. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs ри радиацио...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ардышев, М. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs ри радиацио...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Ардышев, М. В.
Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs ри радиационном отжиге / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / М. В. Ардышев, В. М. Ардышев, Ю. Ю. Крючков // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2004 . – Т. 38, N 3 . – с. 265-269 .
Ардышев, М. В.
Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs ри радиационном отжиге / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / М. В. Ардышев, В. М. Ардышев, Ю. Ю. Крючков // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2004 . – Т. 38, N 3 . – с. 265-269 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 38, N 3
Наука, 2004 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 38, N 3
Наука, 2004 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный