Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Одринский, А. П. - Критический анализ исследования глубоких уровней в высокоомных монокристаллах CdS методом фотоэле...
Одринский, А. П. - Критический анализ исследования глубоких уровней в высокоомных монокристаллах CdS методом фотоэле...
Статья
Автор: Одринский, А. П.
Физика и техника полупроводников: Критический анализ исследования глубоких уровней в высокоомных монокристаллах CdS методом фотоэле...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Одринский, А. П.
Физика и техника полупроводников: Критический анализ исследования глубоких уровней в высокоомных монокристаллах CdS методом фотоэле...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Одринский, А. П.
Критический анализ исследования глубоких уровней в высокоомных монокристаллах CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии / Электронные и оптические свойства полупроводников / А. П. Одринский // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2004 . – Т. 38, N 3 . – с. 310-315 .
Одринский, А. П.
Критический анализ исследования глубоких уровней в высокоомных монокристаллах CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии / Электронные и оптические свойства полупроводников / А. П. Одринский // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2004 . – Т. 38, N 3 . – с. 310-315 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 38, N 3
Наука, 2004 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 38, N 3
Наука, 2004 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный