Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сошников, И. П. - Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs в квантовой яме InGaAs...
Сошников, И. П. - Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs в квантовой яме InGaAs...
Статья
Автор: Сошников, И. П.
Физика и техника полупроводников: Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs в квантовой яме InGaAs...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сошников, И. П.
Физика и техника полупроводников: Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs в квантовой яме InGaAs...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Сошников, И. П.
Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs в квантовой яме InGaAsN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии / Низкоразмерные системы / И. П. Сошников, Н. В. Крыжановская, Н. Н. Леденцов, А. Ю. Егоров, В. В. Мамутин, В. А. Одноблюдов, В. М. Устинов, О. М. Горбенко, H. Kirmse, W. Neumann, D. Bimberg // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2004 . – Т. 38, N 3 . – c. 354-357 .
Сошников, И. П.
Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs в квантовой яме InGaAsN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии / Низкоразмерные системы / И. П. Сошников, Н. В. Крыжановская, Н. Н. Леденцов, А. Ю. Егоров, В. В. Мамутин, В. А. Одноблюдов, В. М. Устинов, О. М. Горбенко, H. Kirmse, W. Neumann, D. Bimberg // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2004 . – Т. 38, N 3 . – c. 354-357 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 38, N 3
Наука, 2004 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 38, N 3
Наука, 2004 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный