Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Андреев, В. М. - Фотоэлементы на основе гетероструктур GaAs/Ge, полученные комбинацией методов МОСГФЭ и диффузии ц...
Андреев, В. М. - Фотоэлементы на основе гетероструктур GaAs/Ge, полученные комбинацией методов МОСГФЭ и диффузии ц...
Статья
Автор: Андреев, В. М.
Физика и техника полупроводников: Фотоэлементы на основе гетероструктур GaAs/Ge, полученные комбинацией методов МОСГФЭ и диффузии ц...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Андреев, В. М.
Физика и техника полупроводников: Фотоэлементы на основе гетероструктур GaAs/Ge, полученные комбинацией методов МОСГФЭ и диффузии ц...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Андреев, В. М.
Фотоэлементы на основе гетероструктур GaAs/Ge, полученные комбинацией методов МОСГФЭ и диффузии цинка / Физика полупроводниковых приборов / В. М. Андреев, В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. С. Титков, О. А. Хвостикова, М. З. Шварц // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2004 . – Т. 38, N 3 . – с. 369-373 .
Андреев, В. М.
Фотоэлементы на основе гетероструктур GaAs/Ge, полученные комбинацией методов МОСГФЭ и диффузии цинка / Физика полупроводниковых приборов / В. М. Андреев, В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. С. Титков, О. А. Хвостикова, М. З. Шварц // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2004 . – Т. 38, N 3 . – с. 369-373 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 38, N 3
Наука, 2004 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 38, N 3
Наука, 2004 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный