Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Баграев, Н. Т. - Гетеропереходы p+-Si-n-CdF2 / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Баграев, Н. Т. - Гетеропереходы p+-Si-n-CdF2 / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Статья
Автор: Баграев, Н. Т.
Физика и техника полупроводников: Гетеропереходы p+-Si-n-CdF2 / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Баграев, Н. Т.
Физика и техника полупроводников: Гетеропереходы p+-Si-n-CdF2 / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Баграев, Н. Т.
Гетеропереходы p+-Si-n-CdF2 / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, А. И. Рыскин, А. С. Щеулин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 5 . – с. 557-562 .
Баграев, Н. Т.
Гетеропереходы p+-Si-n-CdF2 / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, А. И. Рыскин, А. С. Щеулин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 5 . – с. 557-562 .