Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Качурин, Г. А. - Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях SiO2 при имплантации ионов Si с промежуточными отж...
Качурин, Г. А. - Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях SiO2 при имплантации ионов Si с промежуточными отж...
Статья
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях SiO2 при имплантации ионов Si с промежуточными отж...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях SiO2 при имплантации ионов Si с промежуточными отж...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Качурин, Г. А.
Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях SiO2 при имплантации ионов Si с промежуточными отжигами / Низкоразмерные системы / Г. А. Качурин, В. А. Володин, Д. И. Тетельбаум, Д. В. Марин, А. Ф. Лейер, А. К. Гутаковский, А. Г. Черков, А. Н. Михайлов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 5 . – с. 582-586 .
Качурин, Г. А.
Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях SiO2 при имплантации ионов Si с промежуточными отжигами / Низкоразмерные системы / Г. А. Качурин, В. А. Володин, Д. И. Тетельбаум, Д. В. Марин, А. Ф. Лейер, А. К. Гутаковский, А. Г. Черков, А. Н. Михайлов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 5 . – с. 582-586 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 39, N 5
Наука, 2005 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 39, N 5
Наука, 2005 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный