Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Цырлин, Г. Э. - Диффузионный механизм роста нановискеров GaAs и AlGaAs в методе молекулярно-пучковой эпитаксии / ...
Цырлин, Г. Э. - Диффузионный механизм роста нановискеров GaAs и AlGaAs в методе молекулярно-пучковой эпитаксии / ...
Статья
Автор: Цырлин, Г. Э.
Физика и техника полупроводников: Диффузионный механизм роста нановискеров GaAs и AlGaAs в методе молекулярно-пучковой эпитаксии / ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Цырлин, Г. Э.
Физика и техника полупроводников: Диффузионный механизм роста нановискеров GaAs и AlGaAs в методе молекулярно-пучковой эпитаксии / ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Цырлин, Г. Э.
Диффузионный механизм роста нановискеров GaAs и AlGaAs в методе молекулярно-пучковой эпитаксии / Наноразмерные системы / Г. Э. Цырлин, В. Г. Дубровский, Н. В. Сибирев, И. П. Сошников, Ю. Б. Самсоненко, А. А. Тонких, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 5 . – с. 587-594 .
Цырлин, Г. Э.
Диффузионный механизм роста нановискеров GaAs и AlGaAs в методе молекулярно-пучковой эпитаксии / Наноразмерные системы / Г. Э. Цырлин, В. Г. Дубровский, Н. В. Сибирев, И. П. Сошников, Ю. Б. Самсоненко, А. А. Тонких, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 5 . – с. 587-594 .