Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ждан, А. Г. - Повышение темпа и дискредитация кинетики изотермической поверхности генерации неосновных носителе...
Ждан, А. Г. - Повышение темпа и дискредитация кинетики изотермической поверхности генерации неосновных носителе...
Статья
Автор: Ждан, А. Г.
Физика и техника полупроводников: Повышение темпа и дискредитация кинетики изотермической поверхности генерации неосновных носителе...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ждан, А. Г.
Физика и техника полупроводников: Повышение темпа и дискредитация кинетики изотермической поверхности генерации неосновных носителе...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ждан, А. Г.
Повышение темпа и дискредитация кинетики изотермической поверхности генерации неосновных носителей заряда в структурах металл-диэлектрик-полупроводник с планарно-неоднородным диэлектриком / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / А. Г. Ждан, Е. И. Гольдман, Ю. В. Гуляев, Г. В. Чучева // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 6 . – с. 697-704 .
Ждан, А. Г.
Повышение темпа и дискредитация кинетики изотермической поверхности генерации неосновных носителей заряда в структурах металл-диэлектрик-полупроводник с планарно-неоднородным диэлектриком / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / А. Г. Ждан, Е. И. Гольдман, Ю. В. Гуляев, Г. В. Чучева // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 6 . – с. 697-704 .