Электронный каталог -Гришко, А. С. - Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4-H2 на подложках...- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Гришко, А. С. - Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4-H2 на подложках...

Гришко, А. С. - Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4-H2 на подложках...

Доступно
1 из 1

Автореферат
Автор: Гришко, А. С.
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4-H2 на подложках... : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники"
Издательство: [МИСиС], 2005 г.
ISBN отсутствует

Заказать

На полку

Автореферат
VIII-5 Г-859

Гришко, А. С.
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4-H2 на подложках цилиндрической формы : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" / А. С. Гришко ; науч. рук. Т. Т. Кондратенко . – М. : [МИСиС], 2005 . – 25 с. : ил. + Библиогр.: с. 25.

621.315.592:546.28:548.25(043.3)

Общий = Физика : полупроводники
Общий = Химия : неорганическая химия : периодическая система элементов : кремний
Общий = Кристаллография

182789м 19:Фонд дис.МИСиС