Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Александров, О. В. - Влияние кислорода на образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами эрбия ...
Александров, О. В. - Влияние кислорода на образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами эрбия ...
Статья
Автор: Александров, О. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние кислорода на образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами эрбия ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Александров, О. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние кислорода на образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами эрбия ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Александров, О. В.
Влияние кислорода на образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами эрбия и кислорода / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / О. В. Александров, А. О. Захарьин, Н. А. Соболев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 7 . – с. 776-781 .
Александров, О. В.
Влияние кислорода на образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами эрбия и кислорода / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / О. В. Александров, А. О. Захарьин, Н. А. Соболев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 7 . – с. 776-781 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 39, N 7
Наука, 2005 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 39, N 7
Наука, 2005 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный