Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Георбиани, А. Н. - Дисперсия показателя преломления в кристаллах Tl1-xCuxGaSe2 (0<=x<=0.015) и Tl1-xCuxInS2 (0<=x<=0...
Георбиани, А. Н. - Дисперсия показателя преломления в кристаллах Tl1-xCuxGaSe2 (0<=x<=0.015) и Tl1-xCuxInS2 (0<=x<=0...
Статья
Автор: Георбиани, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Дисперсия показателя преломления в кристаллах Tl1-xCuxGaSe2 (0<=x<=0.015) и Tl1-xCuxInS2 (0<=x<=0...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Георбиани, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Дисперсия показателя преломления в кристаллах Tl1-xCuxGaSe2 (0<=x<=0.015) и Tl1-xCuxInS2 (0<=x<=0...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Георбиани, А. Н.
Дисперсия показателя преломления в кристаллах Tl1-xCuxGaSe2 (0<=x<=0.015) и Tl1-xCuxInS2 (0<=x<=0.015) / Электронные и оптические свойства полупроводников / А. Н. Георбиани, А. Х. Матиев, Б. М. Хамхоев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 7 . – с. 811-813 .
Георбиани, А. Н.
Дисперсия показателя преломления в кристаллах Tl1-xCuxGaSe2 (0<=x<=0.015) и Tl1-xCuxInS2 (0<=x<=0.015) / Электронные и оптические свойства полупроводников / А. Н. Георбиани, А. Х. Матиев, Б. М. Хамхоев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 7 . – с. 811-813 .