Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Бочкарева, Н. И.
Влияние состояний на границах раздела на емкость и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN-светодиодов / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Н. И. Бочкарева, Е. А. Жирнов, А. А. Ефремов, Ю. Т. Ребане, Р. И. Горбунов, А. В. Клочков, Д. А. Лавринович, Ю. Г. Шретер // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 7 . – с. 829-833 .