Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ундалов, Ю. К. - Влияние эрбия и кислорода на интенсивность фотолюминесценции эрбия и состав пленок a-SiOx:H(Er,O)...
Ундалов, Ю. К. - Влияние эрбия и кислорода на интенсивность фотолюминесценции эрбия и состав пленок a-SiOx:H(Er,O)...
Статья
Автор: Ундалов, Ю. К.
Физика и техника полупроводников: Влияние эрбия и кислорода на интенсивность фотолюминесценции эрбия и состав пленок a-SiOx:H(Er,O)...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ундалов, Ю. К.
Физика и техника полупроводников: Влияние эрбия и кислорода на интенсивность фотолюминесценции эрбия и состав пленок a-SiOx:H(Er,O)...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ундалов, Ю. К.
Влияние эрбия и кислорода на интенсивность фотолюминесценции эрбия и состав пленок a-SiOx:H(Er,O), полученных магнетронным распылением на постоянном токе / Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники / Ю. К. Ундалов, Е. И. Теруков, О. Б. Гусев, В. Х. Кудоярова // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 8 . – с. 979-985 .
Ундалов, Ю. К.
Влияние эрбия и кислорода на интенсивность фотолюминесценции эрбия и состав пленок a-SiOx:H(Er,O), полученных магнетронным распылением на постоянном токе / Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники / Ю. К. Ундалов, Е. И. Теруков, О. Б. Гусев, В. Х. Кудоярова // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2005 . – Т. 39, N 8 . – с. 979-985 .