Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Маняхин, Ф. И. - Нестабильность распределения концентрации электрически активных центров вблизи p-n-перехода AlGaN...
Маняхин, Ф. И. - Нестабильность распределения концентрации электрически активных центров вблизи p-n-перехода AlGaN...
Статья
Автор: Маняхин, Ф. И.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Нестабильность распределения концентрации электрически активных центров вблизи p-n-перехода AlGaN...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Маняхин, Ф. И.
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники: Нестабильность распределения концентрации электрически активных центров вблизи p-n-перехода AlGaN...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Маняхин, Ф. И.
Нестабильность распределения концентрации электрически активных центров вблизи p-n-перехода AlGaN/InGaN/GaN-светодиодных структур с квантовыми ямами при протекании прямого тока / Ф. И. Маняхин // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2005 . – N 3 . – с. 84-88 .
Маняхин, Ф. И.
Нестабильность распределения концентрации электрически активных центров вблизи p-n-перехода AlGaN/InGaN/GaN-светодиодных структур с квантовыми ямами при протекании прямого тока / Ф. И. Маняхин // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники . – 2005 . – N 3 . – с. 84-88 .
Привязано к:
Нет экз.